半導体デバイス製造装置
当社独自のスパッタリング技術によるダメージレス・メタルゲート量産用の、φ300mm対応クラスター式スパッタリング装置です。
Metal-Gate 量産
- 超高真空Co-スパッタによる膜組成制御 - 極薄膜の高精度な膜厚制御(0.1nm単位)、優れた膜厚均一性 (1σ<1%) - Under 32nmダマシン・ゲート形成プロセスにも対応可能(PCM-PVDによる高カバレッジ成膜) - 小型カソード採用による低い材料コスト(容易な材料変更)