製品概要

当社独自技術の電子衝撃加熱方式（Electron Bombardment Anneal System）により、優れたアニール特性を実現した真空高温アニール装置です。

用途

SiCパワーデバイス研究開発・生産用（活性化アニール）

特長

- 高い電気的活性化の実現
　高温プロセスによる低シート抵抗値の実現）
　（Diodeにおけるリーク電流の低減）
- 急速加熱、急速冷却
　（RTAプロセスと清浄な真空雰囲気）
- 優れた再現性
　（シート抵抗値均一性±4.9%、1,000回ランニング）
- 生産量に応じてアニール室を最大3室まで搭載可能