개요

당사 독자적인 스퍼터링 기술에 의한 Damage Less・Metal-Gate 양산용의 φ300mm 대응 Cluster식 Sputteing 장비입니다.

용도

Metal-Gate 양산

특징

- 고진공 Co-Sputter에 의한 막 조성 제어
- 극 박막의 고정밀한 막두께 제어 (0.1nm단위), 뛰어난 막두께 균일성 (1σ＜1％)
- Under 32nm Damascene・Gate 형성 Process에도 대응 가능 (PCM-PVD에 의한 High-coverage 성막)
- 소형 Cathode 채용에 의한 낮은 재료 비용（용이한 재료 변경）