개요

주로 반도체 메모리로 사용하는 금속배선 재료의 박막 형성에 대응한 클러스터식 스퍼터링 장비입니다. 당사 독자 카에라 캐소드 기술로 반응성 스퍼터 및 고 스트레스 재료에 있어서도 양호한 균일성과 저 파티클을 양립하였습니다. 풍부한 프로세스 데이터와 높은 신뢰성을 자랑하는 φ200mm 전용 장비입니다.

용도

반도체 메모리 (금속 배선 재료용) 의 양산

특징

- 레시피마다 In-Situ로 캐소드 마그넷 위치 (3축)를 변경 가능 (균일성, 크리닝의 최적화가 간편)
- PCM 캐소드로 인한 데미지레스로 피복률 높은 성막이 가능