개요

MRAM 자성 적층막의 마스크・MTJ 가공 (드라이 에칭), 보호막의 형성 처리(CVD)가 가능한 장치입니다.

용도

MRAM 연구 개발

특징

- 실제 디바이스에서 고 수율 을 실현
- 쇼트 없는 미세 패턴 가공을 실현
- 에칭 후도 고 MR을 유지
- CH3OH가스에 의한 저 데미지 프로세스
- 간단한 멘테넌스성, 유연한 장치 구성